诺德AI电子电路铜箔系列丨RTF、VLP厚铜箔：超大载流，厚而可靠

　　引言

　　AI算力的竞争，不仅是芯片算力的竞争，更取决于设备能源效率与热管理能力。

　　如果说载体铜箔解决的是"信号如何跑得更快"——依托1.5-3μm超薄铜层与纳米级低粗糙度特性，为AI先进封装超精细电路布线提供基材。

　　本篇聚焦的诺德股份NE-RTF系列厚铜箔与NE-VLP厚铜箔，解决的则是"电力如何传送得更稳"——依托百微米级铜厚与极低线路阻抗特性，实现超高载流与优异热管理表现，为AI算力硬件高功率负载需求提供可靠基材支撑。

　　01 AI硬件“大动脉”——厚铜箔的载流逻辑与核心价值

　　随着英伟达Rubin平台新一代液冷机柜、800V高压直流供电架构的推出，AI算力硬件正式迈入千瓦级整机功耗时代，供电平面需承载瞬时数百安培的拉载电流，若无法有效控制传输路径产生的直流压降(IRDrop)与焦耳热，极易引发电压跌落、芯片降频乃至设备热失控，传统薄铜箔已无法匹配高载流、高热冲击、高可靠性的使用场景。

　　厚铜箔的核心价值，是通过加厚铜层基材，凭借更低的单位面积直流电阻，支撑超高电流密度，大幅降低峰值功耗下的IRDrop与焦耳热;同时，铜本体卓越的导热性能，使PCB内层兼具供电与散热双重功能，减少额外散热器件成本与风冷负担。

　　02 厚而精密，强而可靠——诺德AI厚铜箔性能与应用

　　针对下一代高密度算力集群的高压直流大电流载流、全液冷散热与高可靠性需求，诺德股份重磅打造NE-RTF、NE-VLP两大高端厚铜箔产品系列，以差异化产品布局AI全场景大功率应用。

　　NE-RTF3/RTF4反转处理厚铜(3oz-12oz)

　　• 基于3oz-12oz厚铜基材叠加RTF低轮廓工艺，处理面粗糙度Rz优化至较低水平，兼顾大电流传输与中高速信号完整性，适配AI服务器电源平面与中低速控制总线，平衡供电稳定性与信号传输精度。

　　NE-VLP极低轮廓厚铜(3oz-12oz)

　　• 专为纯高功率、强散热极端工况定制开发，表面粗糙度Rz<5.1μm。产品重点提升抗剥离强度与导热均匀性，适用于VRM、PSU电源模块、大功率母线层等重载核心场景。

　　高压直流供电、全液冷散热设备对厚铜箔存在严苛要求：加厚铜层易造成晶粒粗大、表面粗糙，而降低粗糙度又会削弱铜箔与基材附着力，同时厚铜沉积产生的内应力，还会引发高温蠕变、板材分层起泡等失效问题，是行业长期难以兼顾的制造难点。

　　诺德股份依托低轮廓晶粒控制、纳米铜瘤定向生长、高锚栓强化工艺三大核心技术，在3oz-12oz厚铜产品上实现“低粗糙度+高结合力”双重性能平衡。

　　从关键性能指标来看，诺德股份AI厚铜箔在以下维度建立了显著优势：

　　在AI硬件中，诺德股份厚铜箔的核心落地场景包括：

　　• AI服务器UBB/OAM主板电源层：NE-RTF厚铜主要用于高压供电平面与高电流内层，可承载GPU瞬时几百安培拉载电流。

　　• 服务器冗余电源(PSU)与VRM：NE-VLP厚铜作大电流母排与DC-DC转换层，可利用厚铜本体导热，减少额外散热片成本与风冷负担。

　　• AIDC储能与液冷电源背板：适配数据中心侧大功率转换，3oz-12oz厚铜耐高纹波电流与热冲击，诺德厚铜产品已通过多家电源企业测试验证。

　　• 具身智能/工业机器人控制板：高抗热冲击与机械强度，适配伺服驱动大功率走线。

　　03 从薄到厚——诺德AI算力铜箔答案

　　诺德股份VLP、RTF厚铜箔产品围绕AI算力基础设施大功率场景开发，与系列前篇载体铜箔的IC载板、高速光模块精细线路场景形成互补，诺德股份兼具最薄铜层-载体铜箔与超厚铜箔生产能力，适配算力硬件从芯片封装、高速信号传输到大功率供电的全产业链材料需求。

　　先发优势

　　• AI厚铜箔量产进度：现阶段，诺德股份NE-RTF厚铜已实现规模化量产;NE-VLP厚铜正与多家主流机器人、AIDC电源厂商推进合作验证，高端厚铜产品持续放量中。

　　• 超厚铜箔生产底蕴：诺德股份是国内最早具备全区间超厚铜箔生产能力的企业。目前，诺德股份12oz超厚铜箔已实现欧洲客户批量供货。

　　认证壁垒

　　• 认证周期壁垒：高端电子材料下游认证周期长达1–3年，公司依托前期认证积累形成稳定客户合作基础。

　　产能保障

　　• 柔性产能保障：诺德股份拥有3万吨电子电路铜箔年产能及柔性生产产线，可稳定交付AI级厚铜箔产品。

　　随着AI服务器单机功耗持续上行、数据中心大规模算力集群建设提速，大功率厚铜箔需求将同步高速增长。

　　诺德股份将持续推进产线扩容、工艺迭代与客户批量交付落地，在800V高压直流背板、液冷电源背板、AIDC储能与等大电流应用场景持续巩固竞争优势，为AI算力设备稳定、安全、长效的电力传输提供材料支撑。