SK keyfoundry成功开发450V－2300V SiC平面MOSFET工艺平台，斩获1200V新品订单，正式开启SiC业务全面布局

• 成功开发450V－2300V SiC平面MOSFET工艺平台，确保高可靠性与良率竞争力
• 启动为新客户开发1200V SiC MOSFET，加速SiC化合物半导体代工业务进程

韩国首尔2026年3月11日 美通社 －－ 韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布，公司近期已完成SiC（碳化硅）平面MOSFET工艺平台的开发。当前，该平台在新一代化合物功率半导体市场中正备受青睐。公司还透露，已获得一家新客户的1200V SiC MOSFET产品开发订单，这标志着其全面启动SiC化合物半导体代工业务。

SK keyfoundry推出的全新SiC平面MOSFET工艺平台支持450V至2300V的宽电压范围。该平台已在高压工作环境下获得了高可靠性与稳定性数据，证明了其卓越性能。此外，通过全面优化工艺流程并实现对核心制程的精准管控，公司已将产品良率提升至90％以上，同时提高了生产效率。SK keyfoundry还表示，公司提供差异化的“定制化工艺支持服务”，能够根据客户的特定需求微调电气特性与规格参数。

随着该工艺平台开发的完成，SK keyfoundry已获得一家专注于SiC设计的客户的1200V高压产品订单，并启动了产品开发工作。该工艺将应用于客户的工业设备，在热效率管理方面发挥关键作用。完成样片评估和可靠性验证后，公司计划于2027年上半年启动全面量产。

此次SiC平面MOSFET工艺平台的开发，是SK keyfoundry收购SiC专业公司SK powertech后，整合双方核心能力的首个成果。技术研发完成后随即获得实际客户订单，也印证了该平台已跨越技术验证阶段，具备了可立即投入商业化的成熟度与竞争力。

SK keyfoundry首席执行官Derek D. Lee表示：“SiC平面MOSFET工艺平台的开发，标志着SK keyfoundry已在全球化合物半导体市场确立了独立的技术领导地位。依托我们兼具高良率与高可靠性的差异化工艺，我们将持续拓展高压功率半导体解决方案，以满足国内外客户的需求。”