DB HiTek完成8英寸1200V碳化硅MOSFET工艺可靠性认证

• 建成全球首套完整8英寸碳化硅（SiC）代工工艺流程
• 向客户交付第一代、第二代工艺设计套件（PDK），第三代PDK计划于11月推出；有望将产品开发周期缩短一年以上

韩国首尔2026年9月9日 美通社 －－ 韩国领先的纯代工模式8英寸晶圆代工厂DB HiTek宣布，其基于8英寸（200毫米）晶圆的1200V碳化硅（SiC） MOSFET工艺已顺利完成可靠性认证。该成果是该公司进军8英寸SiC代工市场的重要进展，计划于2027年实现量产。通过本次认证，DB HiTek计划加大对客户产品开发的支持力度，拓展新客户，并加快推进2027年量产的各项筹备工作。

SiC属于下一代功率半导体材料，在高温高压工况下性能优于传统硅（Si）材料，非常适用于电动汽车（EV）、新能源系统及工业功率设备。当前SiC市场仍以6英寸晶圆为主，全球各大半导体厂商正转向8英寸晶圆，以此提升生产效率和成本竞争力。为顺应这一市场转型趋势，DB HiTek开发了8英寸SiC工艺技术，搭建起自己的代工服务能力。

通过对大功率SiC MOSFET工艺的优化，DB HiTek实现了具备竞争优势的电学特性与高可靠性。公司搭建完成了全球首套完整1200V 8英寸SiC代工工艺流程，打造出可覆盖客户设计、制造、电学特性表征及可靠性认证全环节的代工服务平台。

为加快8英寸SiC代工业务商业化落地，DB HiTek向客户提供了其专有第一代与第二代1200V SiC MOSFET工艺对应的工艺设计套件（PDK）。第三代PDK计划于今年11月发布。借助该类PDK，客户可削减开发初期所需投入的资源，加速样片流片，并将产品开发周期缩短一年以上。

该PDK支持的第二代工艺，在栅极导通电压（Vgs（on））＝18V的条件下，可实现比导通电阻（Rsp）≤2.5 mΩ・cm，阈值电压（Vth）≥3 V，目前已完成工艺开发中高难度的可靠性认证。

计划于11月推出的第三代工艺正在开展认证工作，其目标为：同样在18V栅极导通电压条件下，比导通电阻≤2.3 mΩ・cm；同时短路安全工作区（SCSOA）内的短路耐受时间（SCWT）不低于2.5 μs。认证全部完成后，DB HiTek将向客户提供第三代PDK。

DB HiTek计划于今年第三季度完成工艺筹备，优先向长期合作客户开放使用；2027年第二季度面向全部客户正式开放这项代工服务。

DB HiTek相关负责人表示：“本次1200V SiC MOSFET工艺可靠性认证的完成，意义重大，标志着我们已掌握全球首项8英寸SiC代工服务所需的核心工艺技术与制造基础。我们将持续推进2027年8英寸SiC量产的筹备工作，力争占据市场席位，提升公司在下一代功率半导体代工领域的竞争实力。”